| 日经BP社2005年10月5日报道 冲电气工业日前使用SOS（silicon on sapphire，蓝宝石硅）技术，开发出了RF开关。与使用GaAs化合物半导体的现有开关相比，耗电量只有1/5，静电放电（ESD）耐压提高了3倍。该产品采用可根据2个天线的无线信号接收状况，合理切换信号的双刀双掷（double pole double throw：DPDT）结构，工作频率为3GHz。 利用SOS结构，同时实现低耗电、高耐压、低噪音 SOS技术是以“UTSi”为基础开发的技术。“UTSi”技术是由在2003年1月与冲电气建立合作关系的美国派更半导体公司（Peregrine Semiconductor Corp.）开发的。在蓝宝石底板上形成单晶硅薄膜，然后再利用CMOS工艺形成电路。作为采用具有良好绝缘性的蓝宝石的SOS底板，与硅底板和SOI（绝缘体上硅）底板相比，能够降低在底板上形成的电路耗电量。冲电气开发的RF开关的耗电电流仅为15μA（电源电压为2.5～3V），与使用GaAs材料的现有RF开关相比，耗电量降到了约1/5。 SOS技术还有2个优点。一是底板上形成的被动元件基本上不会产生寄生电容，因此能够减轻高频区的噪音。二是具有良好的耐受性，在生产过程中不易遭到静电放电的破坏。ESD耐压达2000V以上，约为GaAs类开关的4倍。 冲电气将于2005年10月面向手机等用途投产此次开发的RF开关。样品价格为150日元，销售目标为每月50万个。该公司在2005年10月4日～8日于日本千叶县幕张Messe会展中心举办的“CEATEC JAPAN 2005”展会上，展出了此次的产品。 |
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