| Intersil公司宣布推出低压双重 ISL5405 和四重 ISL54056 单刀双掷（SPDT）模拟开关。这些开关提供了超低的、更平坦的导通电阻，从而提高了电池供电的、便携式和手持式设备的信号质量。 这些器件均采用微型μTQFN 封装；跟 TDFN 和 TQFN 封装相比，节省了 72% 的板空间；并为在手机应用中实现更宝贵的特性提供了更多空间。ISL54050/56 的厚度为 0.5mm，比采用TDFN和TQFN封装的产品薄33%左右，其电源电流很低，并且可以利用低逻辑控制信号来降低电池泄漏和延长通话时间，同时还能消除串扰。
Intersil公司开关、多路复用器和ATE产品部市场经理Chris Ludeman说：“ISL54050/56的封装更薄，这样就节省了板上的垂直空间，从而让设计者能够更灵活地将电路板进行背靠背放置，或者采用其它节省空间的配置。这些器件可以保持很低的信号损耗和失真，从而为手机的MP3特性提供了清洁信号，并能够直接使用锂离子电池来增大铃音。它们还能经受得住高 ESD（静电放电）水平，并且提高了终端产品的可靠性。&#
空间节省和低失真特性
Intersil 的 ISL54050 是双重低压单刀双掷模拟开关，而ISL5405 是四重低压单刀双掷模拟开关。它们都是双向开关，还可以分别用作单和双差分 2:1 多路复用器。
当由3.3V电源供电时，ISL54050的典型导通电阻为0.27 Ohms，ISL54056的典型导通电阻为0.45 Ohms，而电阻平坦度分别为0.03 Ohms和0.05 Ohms，从而为用于低失真音频通道（如手机和 CD 音频器件内的 MP3 播放器）提供了极低的总谐波失真（THD）。
跟那些交错传导电流很大的竞争器件不同，当利用电压比器件电源电压低的逻辑控制信号进行控制时，ISL54050/56 具有很低的供电电流。
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